スマートフォン向けRAMおよびストレージ市場のリーダーであるサムスンは3月17日、UFS 3.1メモリモジュールの量産を開始したと発表した。同ブランドによると、この新しいタイプのストレージは、現在のソリューションよりも書き込み速度が最大 3 倍高速になります。
を購入する予定ですハイエンドスマートフォン2020年後半に発売? UFS 3.1 ストレージが搭載される可能性が非常に高いです。サムスン。韓国の巨人、リーダーモバイル デバイス用の RAM およびストレージ市場で、eUFS 3.1 の量産を開始したと発表しました (組み込みユニバーサルフラッシュストレージ)。サムスンによれば、スマートフォン向けに設計されたこの新しいタイプのフラッシュ メモリは、OnePlus、ASUS、Xiaomi などのブランドが現在使用しているプレミアム ソリューションよりも書き込み速度が最大 3 倍高速になります。
書き込み速度の象徴的な 1 GB/s の基準を超えるのに十分であり、モバイルでの 4K および 8K ビデオの録画がますます普及するにつれて、要求に少しでも応えられます。
Samsung が発表した 128、256、および 512 GB モジュール
で彼のプレスリリース, Samsungは、新しいメモリモジュールを128、256、512 GBの容量で提供する予定であることを示唆しており、このUFS 3.1がパフォーマンスの面で何を提供するかについても詳しく説明しています。
«1,200 MB/秒を超えるシーケンシャル書き込み速度を持つ 512 GB eUFS 3.1 モジュールは、SATA ストレージ (540 MB/秒) ベースの PC の 2 倍、UHS-I microSD カード (90 MB) よりも 10 倍高速です。 /秒)» と特に同社は保証する。 「これは、消費者が収納時に超薄型ラップトップの速度を享受できることを意味します。大きなファイルスマートフォン内の 8K ビデオや数百枚の大きな写真などを、バッファリングなしで保存できます。(…) »。
«新しい eUFS 3.1 システムを搭載した携帯電話は 100 GB のデータを転送するのにわずか約 1.5 分しかかかりませんが、UFS 3.0 システムに基づく携帯電話は 4 分以上かかります」とさらに読み進めていきます。 「ランダム パフォーマンスの点では、eUFS 3.1 の 512 GB モジュールは、広く使用されている UFS 3.0 バージョンよりも最大 60% 高速にデータを処理し、読み取りで 100,000 の入出力操作/秒 (IOPS) と 70,000 の書き込み IOPS を実現します。»。
これらの UFS 3.1 モジュールとその追加速度の恩恵を最初に受けるのはどの携帯電話なのかを予測するのは難しいとしても、将来の Galaxy Note 20 がこの新しい規格の Samsung の標準ベアラーとして機能することは間違いありません。夏の間にもっと知る必要があります。
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