Qualcomm Snapdragon 845に関する最初の詳細はリークで明らかになりましたが、期待外れかもしれません。この情報によると、新しい SoC は 10 nm LPE 彫刻を使用し、Samsung の Exynos 9810 は第 2 世代の LPP 彫刻の恩恵を受けることになります。説明…
2018 年に向けて、スマートフォン戦争の新たな段階が水面下で準備されているとすれば、年末にはすでにその始まりを観察できるでしょう。コンポーネント メーカーはデバイスをリリースする前から準備を整えておく必要があるため、これはごく普通のことです。
少し前に、10 nm FinFET LPP に刻印されたチップの生産を開始したと誇らしげに発表したのはサムスンでした。彼は、Exynos 9810 の構成を指定し始めているでしょう。サムスンギャラクシーS9。クアルコムはすぐに返答します。
Snapdragon 845 を紹介する公式イベントが 12 月初旬に予定されています。ITホームは予想よりも少し早く豆をこぼすことを決定したようで、アメリカブランドの新しいSoCに関する最初の詳細を知ることができます。
この機会に私たちは次のことを学びますスナップドラゴン 8454 つの Cortex-A75 コアと他の 4 つの Cortex-A53 コアで構成されるオクタコア プロセッサが引き続き搭載され、まだ謎に包まれた Adreno 630 によってサポートされます。ただし、仕様の中央で 1 つの情報が際立っています。チップは引き続き 10 nm FinFET LPE (Low Power Early) 刻印を使用するということです。
努力のない一年
驚くべき選択です。エクシノス 9810年末に発売された 10 nm FinFET LPP (Low Power Plus) エングレービングを有効に活用できます。ただし、このパフォーマンスの 10% の向上 (または必要に応じて消費量の 15% 削減) は、LPP テクノロジーによるものです。サムスンが開発した新世代のチップ。
したがって、この最初のリークは、2018 年がクアルコムにとってそれほど重要な年ではなく、追加の努力をしなくてもその勢いが続くことを示しているようです。ただし、実際にこれを判断できるのは、私たちが参加するクアルコムのイベントが開催される 12 月初旬までです。この機会に、新しいプラットフォームの独自のベンチマークを提供できれば幸いです。
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