Samsung の将来の Galaxy S8 用の 256 GB の UFS 2.0 ストレージ

2015 年 2 月に、Samsung、容量 32、64、128 GB の UFS 2.0 フラッシュ メモリ モジュールの量産を開始。数日後、韓国の巨人はギャラクシーS6これらのメモリモジュールが正確に装備されています。今年、サムスンはほぼ同じ発表を行ったが、その内容は逆だった。こうして先週の日曜日、韓国の巨人はギャラクシーS7などS7エッジ、32、64、128 GB の UFS 2.0 メモリ モジュールを搭載し、今朝、サムスンは容量 256 GB の新世代の UFS 2.0 モジュールそして運命「次世代のハイエンドモバイル端末へ」。

したがって、私たちは次のように想像しますギャラクシーS7このモジュールは決して表示されず、論理的には 1 年以内に発表されるはずの Galaxy S8 用に予約される、またはおそらく、今後数か月以内に登場する可能性のある将来のGalaxy Note 6に向けて。

驚異的なスループット

パフォーマンスの点では、新しいモジュールは明らかに昨年のモジュールを上回っています。ランダム読み取りおよび書き込みの IOPS (1 秒あたりの操作数) が 45,000 および 40,000 であるのに対し、Galaxy S7 に搭載されているチップでは 19,000 および 14,000。サムスンが連続読み取り速度を発表して以来、その速度も驚異的です。850ヶ月/秒シーケンシャル書き込み速度 260 MB/秒と比較すると、これは UFS 2.0 の最大帯域幅である 1.2 GB/秒に近いです。しかし、このすべてのパワーは何に使えるのでしょうか?

USB 3.0は開発中

サムスンは USB 3.0 を検討していますが、現在は特に干渉のためほとんどのスマートフォンに搭載されていません。 USB Type-C はこの問題を解決するはずでしたが、ほとんどの場合、このポートがまだありません。メーカーが私たちに説明したように、不明瞭な理由を挙げて、特にサムスンでは。それでも韓国の巨人はこう語る「将来的にはモバイル端末に USB 3.0 が登場し、より高速なデータ転送が可能になるでしょう。」。サムスンは、ある端末から別の端末に転送するのにわずか 12 秒しかかからない 5 GB のビデオを例に挙げています。ついにそしてポートUSB Type-CGalaxy S8 の USB 3.0?

V-NAND 3D

さらに興味深いことに、Samsung の UFS 2.0 メモリ モジュールは、韓国の大手企業の最新の V-NAND フラッシュ メモリ チップを使用しているため、対応する必要があります。最大 48 層まで積み重ねられる 3D チップフラッシュ メモリを使用し、TLC メモリを使用してセルあたり 3 ビットを保存します。

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